深圳市科耐可电子有限公司

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电源管理 LM74801QDRRRQ1
电源管理 LM74801QDRRRQ1
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电源管理 LM74801QDRRRQ1

型号/规格:

LM74801QDRRRQ1

品牌/商标:

TI(德州仪器)

封装:

SON-12

批号:

全新

数量:

9000

产品信息

电源管理 LM74801QDRRRQ1 参数:

制造商: Texas Instruments
产品种类: zhuan业电源管理 (PMIC)
RoHS: 符合
系列: LM7480-Q1
类型: Ideal Diode Controller
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SON-12
输出电流: 2 A, 4 A
输入电压范围: 3 V to 65 V
输出电压范围: 12.5 V to 14.5 V
zui小工作温度: - 40 C
zui大工作温度: %2B 125 C
应用: Active ORing for Redundant Power, Automotive Battery Protection
商标: Texas Instruments
输入电压(zui大值): 65 V
输入电压(zui小值): 3 V
zui大输出电压: 14.5 V
湿度敏感性: Yes
产品: Power Switches
产品类型: Power Management Specialized - PMIC
子类别: PMIC - Power Management ICs

电源管理 LM74801QDRRRQ1 特性:

? 符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准– 器件温度等级 1:–40?C 至 %2B125?C 

?3V 至 65V 输入范围

? 反向输入保护低至–65V

? 在共漏极和共源极配置下,可驱动外部背对背 N 沟道 MOSFET

?10.5mV 阳极至阴极正向压降调节下,理想二极管正常运行 (LM74800-Q1)

? 低反向检测阈值 (–4.5mV),能够快速响应 (0.5μs)

?20mA 峰值栅极 (DGATE) 导通电流

?2.6A 峰值 DGATE 关断电流

? 可调节过压保护

?2.87μA 低关断电流(EN/UVLO = 低电平)

? 采用合适的 TVS 二极管,符合汽车 ISO7637 瞬态要求

? 采用节省空间的 12 引脚 WSON 封装


电源管理 LM74801QDRRRQ1 应用:

? 汽车电池保护–ADAS 域控制器– 摄像头 ECU– 音响主机–USB 集线器

? 用于冗余电源的有源 ORing


电源管理 LM74801QDRRRQ1 说明:

L控控制器
(DGATE-Q1


1

200V
响。
LM7480x-Q1 理想二极管控制器可驱动和控制外部背对背 N 沟道 MOSFET,从而模拟具有电源路径开/关控制和过压保护的理想二极管整流器。


3V 至 65V 的宽输入电源电压可保护和控制 12V 和 24V 汽车类电池供电的 ECU。

该器件可以承受并保护负载免受低至–65V的负电源电压的影响。

集成的理想二极管控制器(DGATE) 可驱动di一个 MOSFET 来代替肖特基二极管,以实现反向输入保护和输出电压保持。

在电源路径中使用了第二个 MOSFET 的情况下,该器件允许负载断开(开/关控制)并使用  HGATE 控制提供过压保护。

 该器件具有可调节过压切断保护功能。

LM7480-Q1 有两种型号:LM74800-Q1 和  LM74801-Q1。

LM74800-Q1 使用线性稳压和比较器方案来实现反向电流阻断功能,而 LM74801-Q1 支持基于比较器的方案。 

通过功率 MOSFET 的共漏极配置,可以使用另一个理想二极管将中点用于 OR-ing 设计。

LM7480x-Q1的zui大额定电压为 65V。通过在共源极拓扑中为器件配置外部 MOSFET,

可以保护负载免受过压瞬态(例如 24V 电池系统中未抑制的 200V 负载突降)的影响。


LM74801QDRRRQ1 图片: