型号  STD4NK80ZT4

产品参数

制造商: STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
RoHS: 符合
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-252-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 800 V
Id-连续漏极电流: 3 A
Rds On-漏源导通电阻: 3.5 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压: - 30 V, + 30 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
Qg-栅极电荷: 22.5 nC
S工作温度: - 55 C
B工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 80 W
通道模式: Enhancement
配置: Single
下降时间: 32 ns
正向跨导 - S值: 2.9 S
高度: 2.4 mm
长度: 6.6 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 12 ns
系列: STD4NK80Z
2500
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel MOSFET
类型: MOSFET
典型关闭延迟时间: 35 ns
典型接通延迟时间: 13 ns
宽度: 6.2 mm
单位重量: 330 mg

深圳科耐可电子
VX:15817490205