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FF600R12ME4原装现货优势
发布时间： 2022/7/28 9:00:35 | 106 次阅读
制造商: Infineon
产品种类: IGBT 模块
RoHS: 符合
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Dual
集电极—发射极zui大电压 VCEO: 1200 V
集电极—射极饱和电压: 2.1 V
在25 C的连续集电极电流: 995 A
栅极—射极漏泄电流: 400 nA
Pd-功率耗散: 4050 W
zui小工作温度: - 40 C
zui大工作温度: %2B 150 C
封装: Tray
商标: Infineon Technologies
栅极/发射极zui大电压: 20 V
安装风格: Chassis Mount
产品类型: IGBT Modules
系列: Trenchstop IGBT4 - E4
包装数量：10
子类别: IGBTs
技术: Si
产品种类: IGBT 模块
RoHS: 符合
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Dual
集电极—发射极zui大电压 VCEO: 1200 V
集电极—射极饱和电压: 2.1 V
在25 C的连续集电极电流: 995 A
栅极—射极漏泄电流: 400 nA
Pd-功率耗散: 4050 W
zui小工作温度: - 40 C
zui大工作温度: %2B 150 C
封装: Tray
商标: Infineon Technologies
栅极/发射极zui大电压: 20 V
安装风格: Chassis Mount
产品类型: IGBT Modules
系列: Trenchstop IGBT4 - E4
包装数量：10
子类别: IGBTs
技术: Si
单位重量: 345 g
FF600R12ME4原装现货优势
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黄占美
TEL:15817490502
QQ:2068705924
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